Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
Папков В.С., Цыбульников М.Б.
Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии. Рассмотрены вопросы получения монокристаллических слоев кремния газотранспортными методами, особенности кристаллического строения и электрофизических свойств кремния на диэлектрических подложках. Книгу завершает материал о приборных разработках. Книга предназначена для широкого круга специалистов, работающих в области производства полупроводниковых приборов и материалов для микроэлектроники.
Rok:
1979
Wydawnictwo:
Энергия
Język:
russian
Plik:
PDF, 35.64 MB
IPFS:
,
russian, 1979